世界初、新日本無線、高電流増幅率・低オン抵抗 シリコンSJ-BJTパワーデバイスを開発
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2020年09月01日
新日本無線株式会社（本社：東京都中央区 代表取締役社長：森田 謙一）は、山梨大学大学院総合研究部の矢野浩司教授（以下、山梨大学）、他と共同で、コレクタ領域をスーパージャンクション（SJ）構造*1とするシリコンバイポーラトランジスタ（以下SJ-BJT）の開発に成功しました。
世界初、新日本無線、高電流増幅率・低オン抵抗 シリコンSJ-BJTパワーデバイスを開発
本技術により、電流開閉器の更なる小型化、低損失化が期待でき、将来の省エネ社会および低炭素化社会の実現に貢献します。
本成果は、パワー半導体デバイスの国際シンポジウムISPSD2020*2（主催:IEEEなど、公式サイト：
https://www.ispsd2020.com/）のプロシーディングで発表いたしました（Early publication 2020/8/19）。
尚、ISPSD2020は、2020年9月13日～18日の日程でvirtual conferenceの形式で開催される予定です。
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