高性能・高信頼性パワーデバイスの研究

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 21世紀は地球上のエネルギー枯渇や環境悪化の問題が益々深刻化すると予測されています。パワーエレクトロニクスは地球の有限なエネルギーを効率良く利用したり、電気自動車のような環境に優しい新しいシステムを生み出す重要な分野です。パワーエレクトロニクスの中で重要な役割を果たしているのが、トランジスタ、ダイオード等の半導体パワーデバイスです。パワーデバイスの性能で重要なことは、高速で動作すること、電力ロスが低いこと、高温環境下で安定に動作することです。我が研究室では、これらの性能を満足する新型構造の半導体パワーデバイスを提案し、コンピューターシミュレーションでデバイスの動作解析や設計を行い、半導体製造装置を用いて試作するという研究開発を行っています。また最近はシリコン(Si)に変わる半導体材料である炭化珪素(SiC)を使ったパワーデバイスの研究をしています。SiCは理論上Siパワーデバイスのロスを100分の1に下げることができる夢の半導体材料として現在注目されています。

高性能・高信頼性パワーデバイスの研究

シミュレーションによるトランジスタ内部の電子分布の解析

高性能・高信頼性パワーデバイスの研究

半導体絶縁膜上のシリコン層(SOI)中に2ミクロンデザインルールで作製した横型パワーIC用デバイスの表面構造